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電子面板和半導(dǎo)體

1）基本為真空密封應(yīng)用，材料為FKM,FKM-GF，F(xiàn)FKM。

2）在電子面板制成FPD的TF、ETCH、Diff工藝中的各個真空泵，管道連接KF/ISO法蘭，真空閥門（鐘擺閥，狹縫門閥 Slit valve door等）等密封應(yīng)用，滿足耐各類腐蝕性氣體，潔凈要求。

FPD制程類別	工藝制程	溫度	工況條件
TF	CVD	70~200℃	Cl2, O2, SF6, SO2, NF3, BCl3, C2HF5, H2, CHF3, Ar,Cl2, SF6, O2, C2HF, BCl3, CF4
TF	PVD	70~200℃	SiH4, NH3, PH3, N2, NF3, Ar, Ph3, H2, N2O
ETCH	Dry Etching	25~150℃	TMAH, Photo Resists
ETCH	Wet Etching	25~150℃	H3PO3, HNO3, CH3COOH, NaOH
Diff	lon lmplantation	25~200℃	SC-1, SC-2,, Alkaline, HF，Cl2, SF6, O2, C2HF, BCl3, CF4
Diff	Diffusion	25~200℃	Monoethanol amine (MEA)

3）在半導(dǎo)體晶圓制成的工藝Plasma Processes、Thermal Processes、Wet Processes中，各個真空獲取設(shè)備，真空鍍膜設(shè)備，清洗設(shè)備，真空閥門，KF/ISO真空法蘭，門閥密封等應(yīng)用，即要求耐各類腐蝕氣體，耐Plasma，耐高溫及長效壽命要求，又需要密封圈件High purity，low particle,Low Outgassing(low weight-loss），Low trace metal levels等。

Wafer制程類別	工藝制程	溫度	工況條件
Plasma Processes	Etch	25~200℃	Cl2，BCl3,NF3,CHF3,HBr,C2F6,O2,CCl4,N2H2,SF6,SiCl4,,N2O,NF3
	DieletricEtch	25~200℃	C2F6,H2,O2,NF3,CHF3,CF4,CHF3,SF6
	PECVD	25~300℃	TMS,TEP,DEMS,TEOS,SiH4,NH3,
	HDPCVD	25~300℃	SiF4,C3H6,O2,NF3
	Ashing/Stripping	25~250℃	O2,CF4,CHF3,NH3
Thermal Processes	SACVD	25~300℃	TEP, TEBO, TEOS, NF3, NH3，O3,O2,N2
	Metal CVD & ALD LPCVD	25~300℃	Organic precursors, WF6, SiH6, TMA, DMAH,TiCl4,SiH4,HF,Cl2，SiH2Cl3,ClF3,NF3，H2O Vapour,O2,O3
	Lamp annealer RTP	150~300℃	IR radiaion,O2,Steam
	Oxidation diffusion	150~300℃	N2, O2, H2O, HCl, Cl2,B2H6,PH3,BBr3,POCl3
	UV cure	150~300℃	N2, O2,O3,Ar
	Thermal-ALD	150~300℃	TEOS, SiH4, NH3, SiF4, CF4,NF3
Wet Processes	Wafer Prep	25~125℃	SC1, SC2, SPM, HF, UPDI
	CMP	25~100℃	KOH, NH3, UPDI
	Photolithography	125~125℃	TMAH, NaOH, H2SO4+Oxidant,Organic acids,NMP,Amines
	Stripping	25~125℃	NMP, MEA, HDMS, DMSO
	Cleaning/ Etching	25~180℃	HCl, HNO3, H3PO4, HF, UPDI ,SC1,SC2,O3
	Copper Plating	25~100℃	CuSO4, H2SO4, H2O2